典型压电膜元件的工作特性

DTI元件是一个在压电聚合体基体上模切15x40mm并在12x30mm有效面积上两面印有银墨电极的标准MSI压电膜结构。

1、电 — 机变换

  （1方向）25x10^-12 m/V, 700x10^-6N/V  

  （3方向）33x10^-12m/V

2、机 — 电变换

  （1方向）12x10^-3Vμ/ε, 400x10^-3V/μm  14.4V/N

  （3方向）13x10^-3V/N

3、热 — 电变换

   8V/°K(@25℃)

4、电容

1.36x10^-9F，耗散系数0.018@10kHz阻抗@10kHz12KΩ

5、最大工作电压

   DC:280V（1方向上，产生7μm位移量）

   AC:840V（1方向上，产生21μm位移量）

6、最大受力（d31方向上，断裂）

   6~9kgF（电压输出830~1275V）

电一机变换

压电膜一般是不可能实现大的位移量和力的，例如在设计扬声器时这一点是显而易见的，因为其低频性能（500Hz以下）是很有限的。甚至一块大面积的压电膜在低频时也无法产生出高幅压力脉冲。正如我们从目前的超声波空间测距传感器（40~50KHz）的设计和医用超声波成像应用中所了解到的，它无法应用到太低频率和太高的超声频率上。